电子技术
電子技術
전자기술
ELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
5期
61-62,60
,共3页
CMOS工艺%晶体振荡器%振幅控制%低相位噪声
CMOS工藝%晶體振盪器%振幅控製%低相位譟聲
CMOS공예%정체진탕기%진폭공제%저상위조성
设计了一种20M低相位噪声晶体振荡器.通过对振荡原理的分析,选取了Santos结构的振荡器进行设计.该晶体振荡器由主振荡电路、振幅控制电路两部分组成,用标准的0.18 μm CMOS工艺实现,并通过Cadence平台下的软件进行仿真.结果表明,所设计的晶体振荡器的相位噪声在偏离中心频率1kHz、10kHz、1MHz处的相位噪声分别为:-121dBc/Hz、-145dBc/Hz、-165dBc/Hz,性能比较理想,可以满足射频芯片对晶体振荡器高相位噪声性能的需要.
設計瞭一種20M低相位譟聲晶體振盪器.通過對振盪原理的分析,選取瞭Santos結構的振盪器進行設計.該晶體振盪器由主振盪電路、振幅控製電路兩部分組成,用標準的0.18 μm CMOS工藝實現,併通過Cadence平檯下的軟件進行倣真.結果錶明,所設計的晶體振盪器的相位譟聲在偏離中心頻率1kHz、10kHz、1MHz處的相位譟聲分彆為:-121dBc/Hz、-145dBc/Hz、-165dBc/Hz,性能比較理想,可以滿足射頻芯片對晶體振盪器高相位譟聲性能的需要.
설계료일충20M저상위조성정체진탕기.통과대진탕원리적분석,선취료Santos결구적진탕기진행설계.해정체진탕기유주진탕전로、진폭공제전로량부분조성,용표준적0.18 μm CMOS공예실현,병통과Cadence평태하적연건진행방진.결과표명,소설계적정체진탕기적상위조성재편리중심빈솔1kHz、10kHz、1MHz처적상위조성분별위:-121dBc/Hz、-145dBc/Hz、-165dBc/Hz,성능비교이상,가이만족사빈심편대정체진탕기고상위조성성능적수요.
