人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2000年
1期
51-53
,共3页
张维连%孙军生%檀柏梅%张恩怀%张颖怀
張維連%孫軍生%檀柏梅%張恩懷%張穎懷
장유련%손군생%단백매%장은부%장영부
CZ Si%等价掺杂(Ge)%新施主%热处理
CZ Si%等價摻雜(Ge)%新施主%熱處理
CZ Si%등개참잡(Ge)%신시주%열처리
等价元素锗(Ge),掺入CZ Si中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行.同时,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体(Ge-VX),降低了空位的浓度.因此,锗掺入到CZ Si中可以抑制新施主(ND)的形成速率和最大浓度,提高了硅的高温稳定性,改善硅材料的内在质量.随着Ge浓度的增加,这种抑制施主效应也越明显.本文简要地探讨了Ge在CZ Si中抑制新施主形成的机理.
等價元素鍺(Ge),摻入CZ Si中後能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉澱的臨界半徑,使得氧沉澱主要以均勻成覈方式進行.同時,Ge容易與硅中空位形成較穩定的鍺一空位複閤體(Ge-VX),降低瞭空位的濃度.因此,鍺摻入到CZ Si中可以抑製新施主(ND)的形成速率和最大濃度,提高瞭硅的高溫穩定性,改善硅材料的內在質量.隨著Ge濃度的增加,這種抑製施主效應也越明顯.本文簡要地探討瞭Ge在CZ Si中抑製新施主形成的機理.
등개원소타(Ge),참입CZ Si중후능제고규중양적고용도화형성양침정적림계반경,사득양침정주요이균균성핵방식진행.동시,Ge용역여규중공위형성교은정적타일공위복합체(Ge-VX),강저료공위적농도.인차,타참입도CZ Si중가이억제신시주(ND)적형성속솔화최대농도,제고료규적고온은정성,개선규재료적내재질량.수착Ge농도적증가,저충억제시주효응야월명현.본문간요지탐토료Ge재CZ Si중억제신시주형성적궤리.
