真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2007年
3期
60-62
,共3页
M型阴极%离子轰击%扫描电镜
M型陰極%離子轟擊%掃描電鏡
M형음겁%리자굉격%소묘전경
采用扫描电镜及X射线能谱仪对覆膜阴极的离子斑进行了分析.分析表明,阴极离子斑中心部分的贵金属覆膜(Os膜)已被完全溅射掉;离子斑周边覆膜仍保留一部分,但Ba和O的含量极低.进一步分析表明,离子轰击不仅使离子斑区域贵金属膜受损,同时使该区域Ba-O键的含量大幅度降低,从而导致该区域及整个阴极的发射出现明显下降.
採用掃描電鏡及X射線能譜儀對覆膜陰極的離子斑進行瞭分析.分析錶明,陰極離子斑中心部分的貴金屬覆膜(Os膜)已被完全濺射掉;離子斑週邊覆膜仍保留一部分,但Ba和O的含量極低.進一步分析錶明,離子轟擊不僅使離子斑區域貴金屬膜受損,同時使該區域Ba-O鍵的含量大幅度降低,從而導緻該區域及整箇陰極的髮射齣現明顯下降.
채용소묘전경급X사선능보의대복막음겁적리자반진행료분석.분석표명,음겁리자반중심부분적귀금속복막(Os막)이피완전천사도;리자반주변복막잉보류일부분,단Ba화O적함량겁저.진일보분석표명,리자굉격불부사리자반구역귀금속막수손,동시사해구역Ba-O건적함량대폭도강저,종이도치해구역급정개음겁적발사출현명현하강.
