微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2008年
6期
817-822
,共6页
范雪梅%毕津顺%刘梦新%杜寰
範雪梅%畢津順%劉夢新%杜寰
범설매%필진순%류몽신%두환
PD%SOI%MOSFET%低频噪声%浮体效应%前背栅耦合效应
PD%SOI%MOSFET%低頻譟聲%浮體效應%前揹柵耦閤效應
PD%SOI%MOSFET%저빈조성%부체효응%전배책우합효응
随着器件尺寸的不断减小,PD SOI器件的低频噪声特性对电路稳定性的影响越来越大.研究了PD SOI器件低频过冲噪声现象,分析了此类器件在发生浮体效应、栅致浮体效应以及前背栅耦合效应时低频过冲噪声的产生机理及影响因素.最后指出,可以通过添加体接触或将PD SOI器件改进为双栅结构,达到有效抑制低频过冲噪声的目的.
隨著器件呎吋的不斷減小,PD SOI器件的低頻譟聲特性對電路穩定性的影響越來越大.研究瞭PD SOI器件低頻過遲譟聲現象,分析瞭此類器件在髮生浮體效應、柵緻浮體效應以及前揹柵耦閤效應時低頻過遲譟聲的產生機理及影響因素.最後指齣,可以通過添加體接觸或將PD SOI器件改進為雙柵結構,達到有效抑製低頻過遲譟聲的目的.
수착기건척촌적불단감소,PD SOI기건적저빈조성특성대전로은정성적영향월래월대.연구료PD SOI기건저빈과충조성현상,분석료차류기건재발생부체효응、책치부체효응이급전배책우합효응시저빈과충조성적산생궤리급영향인소.최후지출,가이통과첨가체접촉혹장PD SOI기건개진위쌍책결구,체도유효억제저빈과충조성적목적.
