科技创新导报
科技創新導報
과기창신도보
SCIENCE AND TECHNOLOGY CONSULTING HERALD
2011年
31期
11-12
,共2页
王勇%于乃森%黎明%刘纪美
王勇%于迺森%黎明%劉紀美
왕용%우내삼%려명%류기미
非故意掺杂GaN%Si衬底%金属有机物化学气相沉积%高电阻率%线性位错密度
非故意摻雜GaN%Si襯底%金屬有機物化學氣相沉積%高電阻率%線性位錯密度
비고의참잡GaN%Si츤저%금속유궤물화학기상침적%고전조솔%선성위착밀도
本文采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）在Si（111）衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜。高分辨率X射线衍射（HRXRD）和Lehighton非接触面电阻测量系统用来表征GaN外延层的质量和面电阻（Rs）。通过计算HRXRD测量得到的GaN（0002）和（10-12）半高宽（FWHM）,估算了GaN外延层中的线性位错密度（TDD）。GaN外延层的Rs和TDD之间的关系被研究。下面GaN初始层生长条件,包括载气种类（H2或N2）、生长温度和生长压力,对上面GaN外延层的影响被讨论和分析。我们认为H2作为载气能提高GaN质量,减少GaN外延层中的TDD,并由于其活泼的化学特性,能通过还原反应去除GaN外延层中的O和C等杂质。另外,下面GaN初始层在低温和高压下生长,更有助于提高GaN质量和减少TDD。下面GaN初始层通过在H2载气、低生长温度（1050℃）和高生长压力（400mba）下外延生长,上GaN外延层的电阻率得到了提高。
本文採用金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）在Si（111）襯底上生長瞭非故意摻雜GaN薄膜。高分辨率X射線衍射（HRXRD）和Lehighton非接觸麵電阻測量繫統用來錶徵GaN外延層的質量和麵電阻（Rs）。通過計算HRXRD測量得到的GaN（0002）和（10-12）半高寬（FWHM）,估算瞭GaN外延層中的線性位錯密度（TDD）。GaN外延層的Rs和TDD之間的關繫被研究。下麵GaN初始層生長條件,包括載氣種類（H2或N2）、生長溫度和生長壓力,對上麵GaN外延層的影響被討論和分析。我們認為H2作為載氣能提高GaN質量,減少GaN外延層中的TDD,併由于其活潑的化學特性,能通過還原反應去除GaN外延層中的O和C等雜質。另外,下麵GaN初始層在低溫和高壓下生長,更有助于提高GaN質量和減少TDD。下麵GaN初始層通過在H2載氣、低生長溫度（1050℃）和高生長壓力（400mba）下外延生長,上GaN外延層的電阻率得到瞭提高。
본문채용금속유궤물화학기상침적（MOCVD）재Si（111）츤저상생장료비고의참잡GaN박막。고분변솔X사선연사（HRXRD）화Lehighton비접촉면전조측량계통용래표정GaN외연층적질량화면전조（Rs）。통과계산HRXRD측량득도적GaN（0002）화（10-12）반고관（FWHM）,고산료GaN외연층중적선성위착밀도（TDD）。GaN외연층적Rs화TDD지간적관계피연구。하면GaN초시층생장조건,포괄재기충류（H2혹N2）、생장온도화생장압력,대상면GaN외연층적영향피토론화분석。아문인위H2작위재기능제고GaN질량,감소GaN외연층중적TDD,병유우기활발적화학특성,능통과환원반응거제GaN외연층중적O화C등잡질。령외,하면GaN초시층재저온화고압하생장,경유조우제고GaN질량화감소TDD。하면GaN초시층통과재H2재기、저생장온도（1050℃）화고생장압력（400mba）하외연생장,상GaN외연층적전조솔득도료제고。
