无机盐工业
無機鹽工業
무궤염공업
INORGANIC CHEMICALS INDUSTRY
2012年
11期
26-29
,共4页
康启宇%丁伟杰%肖文德%阎建民%罗漫
康啟宇%丁偉傑%肖文德%閻建民%囉漫
강계우%정위걸%초문덕%염건민%라만
四氯化硅%三氯硅烷%化学反应平衡%热力学
四氯化硅%三氯硅烷%化學反應平衡%熱力學
사록화규%삼록규완%화학반응평형%열역학
基于Gibbs自由能最小原理,对硅和四氯化硅(SiCl4,STC)耦合加氢反应体系进行了热力学分析.通过化学平衡产物组成分布的分析,确定了反应体系主要产物为三氯硅烷(HSiCl3,TCS)、二氯硅烷(H2SiCl2,DCS)、盐酸(HCI),并构造了3个相应的独立反应,讨论了对应的反应热(△HHmθ)、自由能(△rGmθ)和平衡常数(kpθ)与温度的关系.计算所采用的温度为673～923 K,压力为101.325～2 026.5 kPa,原料H2与SiCl4物质的量比为1～5.结果表明,生成TCS和DCS的反应为体系随着温度升高,四氯化硅平衡转化率及三氯硅烷产率降低；高压和适中的原料配比(H2与SiCl4物质的量比)有利于四氯化硅转化率及三氯硅烷产率的提高.
基于Gibbs自由能最小原理,對硅和四氯化硅(SiCl4,STC)耦閤加氫反應體繫進行瞭熱力學分析.通過化學平衡產物組成分佈的分析,確定瞭反應體繫主要產物為三氯硅烷(HSiCl3,TCS)、二氯硅烷(H2SiCl2,DCS)、鹽痠(HCI),併構造瞭3箇相應的獨立反應,討論瞭對應的反應熱(△HHmθ)、自由能(△rGmθ)和平衡常數(kpθ)與溫度的關繫.計算所採用的溫度為673～923 K,壓力為101.325～2 026.5 kPa,原料H2與SiCl4物質的量比為1～5.結果錶明,生成TCS和DCS的反應為體繫隨著溫度升高,四氯化硅平衡轉化率及三氯硅烷產率降低；高壓和適中的原料配比(H2與SiCl4物質的量比)有利于四氯化硅轉化率及三氯硅烷產率的提高.
기우Gibbs자유능최소원리,대규화사록화규(SiCl4,STC)우합가경반응체계진행료열역학분석.통과화학평형산물조성분포적분석,학정료반응체계주요산물위삼록규완(HSiCl3,TCS)、이록규완(H2SiCl2,DCS)、염산(HCI),병구조료3개상응적독립반응,토론료대응적반응열(△HHmθ)、자유능(△rGmθ)화평형상수(kpθ)여온도적관계.계산소채용적온도위673～923 K,압력위101.325～2 026.5 kPa,원료H2여SiCl4물질적량비위1～5.결과표명,생성TCS화DCS적반응위체계수착온도승고,사록화규평형전화솔급삼록규완산솔강저；고압화괄중적원료배비(H2여SiCl4물질적량비)유리우사록화규전화솔급삼록규완산솔적제고.
