材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2011年
8期
8-11
,共4页
许岗%李高宏%介万奇%查刚强
許崗%李高宏%介萬奇%查剛彊
허강%리고굉%개만기%사강강
碘化汞%电极%接触势垒%费米能级%钉扎%表面质量%欧姆特性
碘化汞%電極%接觸勢壘%費米能級%釘扎%錶麵質量%歐姆特性
전화홍%전겁%접촉세루%비미능급%정찰%표면질량%구모특성
利用不同的电极材料和制备方法制备了3种M/HgI2.采用热电子发射模型计算了相应的接触势垒.采用比接触电阻法、电极系数法和欧姆系数法对比了M/HgI2的欧姆接触特性.结果表明,C/HgI2、AuCl3/HgI2和Au/HgI2的接触势垒均约为0.9eV;C/HgI2和AuCl3/HgI2具有良好的欧姆特性,Au/HgI2的欧姆特性相对较差.分析认为,HgI2晶体表面费米能级的钉扎导致了相近的接触势垒.但由于电极制备工艺没有显著影响AuCl3/HgI2和C/HgI2晶体表面质量,因而具有良好的欧姆接触特性.由于溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成Au/HgI2晶体表面质量下降,因此其欧姆接触特性较差.
利用不同的電極材料和製備方法製備瞭3種M/HgI2.採用熱電子髮射模型計算瞭相應的接觸勢壘.採用比接觸電阻法、電極繫數法和歐姆繫數法對比瞭M/HgI2的歐姆接觸特性.結果錶明,C/HgI2、AuCl3/HgI2和Au/HgI2的接觸勢壘均約為0.9eV;C/HgI2和AuCl3/HgI2具有良好的歐姆特性,Au/HgI2的歐姆特性相對較差.分析認為,HgI2晶體錶麵費米能級的釘扎導緻瞭相近的接觸勢壘.但由于電極製備工藝沒有顯著影響AuCl3/HgI2和C/HgI2晶體錶麵質量,因而具有良好的歐姆接觸特性.由于濺射Au電極在製備工藝中的溫度升高和真空度造成Au/HgI2晶體錶麵質量下降,因此其歐姆接觸特性較差.
이용불동적전겁재료화제비방법제비료3충M/HgI2.채용열전자발사모형계산료상응적접촉세루.채용비접촉전조법、전겁계수법화구모계수법대비료M/HgI2적구모접촉특성.결과표명,C/HgI2、AuCl3/HgI2화Au/HgI2적접촉세루균약위0.9eV;C/HgI2화AuCl3/HgI2구유량호적구모특성,Au/HgI2적구모특성상대교차.분석인위,HgI2정체표면비미능급적정찰도치료상근적접촉세루.단유우전겁제비공예몰유현저영향AuCl3/HgI2화C/HgI2정체표면질량,인이구유량호적구모접촉특성.유우천사Au전겁재제비공예중적온도승고화진공도조성Au/HgI2정체표면질량하강,인차기구모접촉특성교차.
