科教导刊
科教導刊
과교도간
THE GUIDE OF SCIENCE & EDUCATION
2010年
12期
54-55
,共2页
EMI SDRAM%评估%优化%MIBENCH
EMI SDRAM%評估%優化%MIBENCH
EMI SDRAM%평고%우화%MIBENCH
SOC芯片大多包含有外部存储器控制接口(EMI)模块IP.该IP作为CPU与外部存储器的桥梁,其控制数据传输作用性能的高低,直接影响到整个SOC芯片的系统性能.本文重点使用MIBENCH的基准测试程序对优化前和优化后的EMI模块SDRAM控制器进行评估,分析对其各项优化设计所提高的工作效率.
SOC芯片大多包含有外部存儲器控製接口(EMI)模塊IP.該IP作為CPU與外部存儲器的橋樑,其控製數據傳輸作用性能的高低,直接影響到整箇SOC芯片的繫統性能.本文重點使用MIBENCH的基準測試程序對優化前和優化後的EMI模塊SDRAM控製器進行評估,分析對其各項優化設計所提高的工作效率.
SOC심편대다포함유외부존저기공제접구(EMI)모괴IP.해IP작위CPU여외부존저기적교량,기공제수거전수작용성능적고저,직접영향도정개SOC심편적계통성능.본문중점사용MIBENCH적기준측시정서대우화전화우화후적EMI모괴SDRAM공제기진행평고,분석대기각항우화설계소제고적공작효솔.
