材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2008年
z3期
266-268
,共3页
蒋洪川%向阳%王超杰%莫绍毅%雷云%张万里
蔣洪川%嚮暘%王超傑%莫紹毅%雷雲%張萬裏
장홍천%향양%왕초걸%막소의%뢰운%장만리
TaN薄膜%退火%微结构%方阻
TaN薄膜%退火%微結構%方阻
TaN박막%퇴화%미결구%방조
采用直流磁控溅射制备TaN薄膜,研究了热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响.结果表明,退火温度及退火时间都将影响薄膜的微结构及方阻.随退火温度的升高和时间的延长,TaN薄膜的方阻逐渐增大,但当退火温度高于800℃时,由于氧化严重导致薄膜的方阻异常增大.退火可显著改善薄膜的TCR,制备态TaN薄膜的TCR值为-1.2X10-3,薄膜经800℃退火30min后,其TCR可降低到-7.0x10-4.
採用直流磁控濺射製備TaN薄膜,研究瞭熱處理對TaN薄膜微結構及電性能的影響.結果錶明,退火溫度及退火時間都將影響薄膜的微結構及方阻.隨退火溫度的升高和時間的延長,TaN薄膜的方阻逐漸增大,但噹退火溫度高于800℃時,由于氧化嚴重導緻薄膜的方阻異常增大.退火可顯著改善薄膜的TCR,製備態TaN薄膜的TCR值為-1.2X10-3,薄膜經800℃退火30min後,其TCR可降低到-7.0x10-4.
채용직류자공천사제비TaN박막,연구료열처리대TaN박막미결구급전성능적영향.결과표명,퇴화온도급퇴화시간도장영향박막적미결구급방조.수퇴화온도적승고화시간적연장,TaN박막적방조축점증대,단당퇴화온도고우800℃시,유우양화엄중도치박막적방조이상증대.퇴화가현저개선박막적TCR,제비태TaN박막적TCR치위-1.2X10-3,박막경800℃퇴화30min후,기TCR가강저도-7.0x10-4.
