高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2007年
12期
2239-2241
,共3页
于翠艳%于彦龙%孙宏宇%李伟%许涛%张湘义
于翠豔%于彥龍%孫宏宇%李偉%許濤%張湘義
우취염%우언룡%손굉우%리위%허도%장상의
AAO模板%Ni纳米线阵列%单晶%磁性能
AAO模闆%Ni納米線陣列%單晶%磁性能
AAO모판%Ni납미선진렬%단정%자성능
采用恒电流沉积方法,在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中制备出了具有单晶结构的Ni纳米线阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术对制备的Ni纳米线阵列的形貌及结构进行了表征.利用振动样品磁强计(VSM)对单晶Ni纳米线阵列的磁性能进行了研究.结果表明,单晶镍纳米线阵列的易磁化方向为纳米线轴向,并且与多晶纳米线相比显示出了更高的矫顽力.直径为30nm的纳米线具有较高的矫顽力(8.236×104 A/m)和较高的剩磁比(Mr=0.94Ms).
採用恆電流沉積方法,在多孔暘極氧化鋁(AAO)模闆中製備齣瞭具有單晶結構的Ni納米線陣列.採用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)和X射線衍射(XRD)技術對製備的Ni納米線陣列的形貌及結構進行瞭錶徵.利用振動樣品磁彊計(VSM)對單晶Ni納米線陣列的磁性能進行瞭研究.結果錶明,單晶鎳納米線陣列的易磁化方嚮為納米線軸嚮,併且與多晶納米線相比顯示齣瞭更高的矯頑力.直徑為30nm的納米線具有較高的矯頑力(8.236×104 A/m)和較高的剩磁比(Mr=0.94Ms).
채용항전류침적방법,재다공양겁양화려(AAO)모판중제비출료구유단정결구적Ni납미선진렬.채용소묘전자현미경(SEM)、투사전자현미경(TEM)화X사선연사(XRD)기술대제비적Ni납미선진렬적형모급결구진행료표정.이용진동양품자강계(VSM)대단정Ni납미선진렬적자성능진행료연구.결과표명,단정얼납미선진렬적역자화방향위납미선축향,병차여다정납미선상비현시출료경고적교완력.직경위30nm적납미선구유교고적교완력(8.236×104 A/m)화교고적잉자비(Mr=0.94Ms).
