激光加工形成硅基上的氧化低维纳米结构的PL发光
격광가공형성규기상적양화저유납미결구적PL발광
PL Emission of Low-Dimensional Structures Formed by Laser Irradiation
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2008年 1期 116-122 ,共7页

    黄伟其%吴克跃%许丽%王海旭%金峰%刘世荣%秦朝建%秦水介

    황위기%오극약%허려%왕해욱%금봉%류세영%진조건%진수개

    氧化低维纳米结构%等离子体波%光致发光 氧化低維納米結構%等離子體波%光緻髮光
    양화저유납미결구%등리자체파%광치발광
    用激光辐照硅样品和硅锗合金样品能够形成多种氧化低维纳米结构,可以用激光与半导体相互作用产生的等离子体波模型来解释这些结构的形成机理.其中,在单晶硅上形成的网孔壁结构有很强的706nm波长的光致发光(PL)峰,在硅锗合金上形成的多孔状结构于波长为725nm处有极强的PL峰,在硅锗合金上形成的条形片状结构分别在波长为760nm和866nm处也有较强的PL峰;这些结构表面都覆盖有氧化硅层,在硅锗合金上的氧化硅层中镶嵌有纳米锗品团簇,并用相应的模型解释了这些氧化低维纳米结构的强光致发光效应.
    용격광복조규양품화규타합금양품능구형성다충양화저유납미결구,가이용격광여반도체상호작용산생적등리자체파모형래해석저사결구적형성궤리.기중,재단정규상형성적망공벽결구유흔강적706nm파장적광치발광(PL)봉,재규타합금상형성적다공상결구우파장위725nm처유겁강적PL봉,재규타합금상형성적조형편상결구분별재파장위760nm화866nm처야유교강적PL봉;저사결구표면도복개유양화규층,재규타합금상적양화규층중양감유납미타품단족,병용상응적모형해석료저사양화저유납미결구적강광치발광효응.
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