CAJ | 학술논문

采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布,并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性.C-V曲线上电容平台的存在是量子阱结构C-V特性的显著特征,它与量子阱结构参数有密切的关系.随着覆盖层厚度的减小,C-V曲线上平台起始点的电容值增加,并且向低电压方向移动直至其消失.随着量子阱中的掺杂浓度提高,阱中的载流子浓度也会相应增加,那就需要更高的外加电压才能耗尽阱中的载流子,因此平台宽度也就随着掺杂浓度的增加而增加.当覆盖层厚度增加时,由于电压的分压作用,使得降在量子阱上的分压相应减少,因此需要更大的外加偏压才能使阱中载流子浓度全部耗尽,这就使平台的宽度增大.同样地,当覆盖层掺杂浓度增加时,覆盖层中更多的载流子转移到阱内,也就需要更高的外加偏压才能使阱中载流子全部耗尽,平台的宽度也就随之增大.
채용유한심대칭방세정근사모형구해설정악방정득도Ge/Si양자정중적자능급분포,병기우질대법수치구해박송방정모의계산료양자정결구양품재불동편압하적재류자농도분포화C-V특성.C-V곡선상전용평태적존재시양자정결구C-V특성적현저특정,타여양자정결구삼수유밀절적관계.수착복개층후도적감소,C-V곡선상평태기시점적전용치증가,병차향저전압방향이동직지기소실.수착양자정중적참잡농도제고,정중적재류자농도야회상응증가,나취수요경고적외가전압재능모진정중적재류자,인차평태관도야취수착참잡농도적증가이증가.당복개층후도증가시,유우전압적분압작용,사득강재양자정상적분압상응감소,인차수요경대적외가편압재능사정중재류자농도전부모진,저취사평태적관도증대.동양지,당복개층참잡농도증가시,복개층중경다적재류자전이도정내,야취수요경고적외가편압재능사정중재류자전부모진,평태적관도야취수지증대.