光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
1期
14-16
,共3页
刘春玲%王春武%么艳平%薄报学
劉春玲%王春武%麽豔平%薄報學
류춘령%왕춘무%요염평%박보학
半导体激光器%光学灾变损伤(COD)%钝化%硫化%ZnS
半導體激光器%光學災變損傷(COD)%鈍化%硫化%ZnS
반도체격광기%광학재변손상(COD)%둔화%류화%ZnS
提出了一种新的激光器腔面钝化方法.先用(NH4)2S溶液硫化解理后的激光器腔面,然后使用磁控溅射方法对激光器的前腔面镀ZnS钝化膜、后腔面镀Si/SiO2高反射膜.ZnS钝化层光学厚度为λ/4,在中心波长为808 nm处透过率可达95.5%.钝化前激光器的光学灾变损伤(COD)阈值为1.6 W,钝化后为2.0 W,提高了25%倍;未镀膜的激光器阈值电流为0.25 A,经硫化再镀ZnS后阈值电流为0.20 A,降低了20%.实验结果表明,经硫化后溅射ZnS对激光器腔面具有良好的钝化和增透效果.
提齣瞭一種新的激光器腔麵鈍化方法.先用(NH4)2S溶液硫化解理後的激光器腔麵,然後使用磁控濺射方法對激光器的前腔麵鍍ZnS鈍化膜、後腔麵鍍Si/SiO2高反射膜.ZnS鈍化層光學厚度為λ/4,在中心波長為808 nm處透過率可達95.5%.鈍化前激光器的光學災變損傷(COD)閾值為1.6 W,鈍化後為2.0 W,提高瞭25%倍;未鍍膜的激光器閾值電流為0.25 A,經硫化再鍍ZnS後閾值電流為0.20 A,降低瞭20%.實驗結果錶明,經硫化後濺射ZnS對激光器腔麵具有良好的鈍化和增透效果.
제출료일충신적격광기강면둔화방법.선용(NH4)2S용액류화해리후적격광기강면,연후사용자공천사방법대격광기적전강면도ZnS둔화막、후강면도Si/SiO2고반사막.ZnS둔화층광학후도위λ/4,재중심파장위808 nm처투과솔가체95.5%.둔화전격광기적광학재변손상(COD)역치위1.6 W,둔화후위2.0 W,제고료25%배;미도막적격광기역치전류위0.25 A,경류화재도ZnS후역치전류위0.20 A,강저료20%.실험결과표명,경류화후천사ZnS대격광기강면구유량호적둔화화증투효과.
