半绝缘InP长单晶的生长
반절연InP장단정적생장
Semi-Insulating Long InP Single Crystal Growth
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 186-189 ,共4页

    孙聂枫%毛陆虹%郭维廉%周晓龙%杨瑞霞%张伟玉%孙同年

    손섭풍%모륙홍%곽유렴%주효룡%양서하%장위옥%손동년

    InP%孪晶%直径 InP%孿晶%直徑
    InP%련정%직경
    通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80～100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.
    통과대고압액봉직랍법InP단정생장과정적궤개관건인소적분석,설계료합괄적열장계통,유효지강저료련정산생적궤솔.재자기설계제조적고압단정로내수선장인화린진행합성,연후채용감과수동기술등중복생장료직경위50mm,장190mm화직경80～100mm,장150mm적반절연InP단정.
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