物理学报
物理學報
물이학보
2007年
8期
4891-4895
,共5页
ReSi1.75%局域密度近似%自相互修正作用%电子结构
ReSi1.75%跼域密度近似%自相互脩正作用%電子結構
ReSi1.75%국역밀도근사%자상호수정작용%전자결구
基于第一性原理全势线性缀加平面波方法和局域密度近似(LDA),对ReSi1.75的基态晶格属性进行了研究.结构优化的结果表明,ReSi1.75的基态平衡晶格常数比实验值小约0.6%.在LDA计算基础上,考虑局域的Re的d电子库仑作用,用LDA+U方法计算了ReSi1.75的电子结构,发现当Ueff=U-J=4.4 eV时,能带结构呈半导体性质.具有0.12 ev的间接能隙和0.36 ev的直接能隙.有效质量计算结果表明,ReSi1.75晶体具有强烈的各向异性.Resi1.75的态密度在费米能级附近变化剧烈,通过掺杂改变材料的费米能级位置,有望提高材料的热电性能.
基于第一性原理全勢線性綴加平麵波方法和跼域密度近似(LDA),對ReSi1.75的基態晶格屬性進行瞭研究.結構優化的結果錶明,ReSi1.75的基態平衡晶格常數比實驗值小約0.6%.在LDA計算基礎上,攷慮跼域的Re的d電子庫崙作用,用LDA+U方法計算瞭ReSi1.75的電子結構,髮現噹Ueff=U-J=4.4 eV時,能帶結構呈半導體性質.具有0.12 ev的間接能隙和0.36 ev的直接能隙.有效質量計算結果錶明,ReSi1.75晶體具有彊烈的各嚮異性.Resi1.75的態密度在費米能級附近變化劇烈,通過摻雜改變材料的費米能級位置,有望提高材料的熱電性能.
기우제일성원리전세선성철가평면파방법화국역밀도근사(LDA),대ReSi1.75적기태정격속성진행료연구.결구우화적결과표명,ReSi1.75적기태평형정격상수비실험치소약0.6%.재LDA계산기출상,고필국역적Re적d전자고륜작용,용LDA+U방법계산료ReSi1.75적전자결구,발현당Ueff=U-J=4.4 eV시,능대결구정반도체성질.구유0.12 ev적간접능극화0.36 ev적직접능극.유효질량계산결과표명,ReSi1.75정체구유강렬적각향이성.Resi1.75적태밀도재비미능급부근변화극렬,통과참잡개변재료적비미능급위치,유망제고재료적열전성능.
