微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2006年
4期
194-196
,共3页
王朝勇%姚宁%张兵临%纠智先%邓记才%袁泽明
王朝勇%姚寧%張兵臨%糾智先%鄧記纔%袁澤明
왕조용%요저%장병림%규지선%산기재%원택명
场发射%微波等离子体化学汽相沉积%非晶碳%碳化钼
場髮射%微波等離子體化學汽相沉積%非晶碳%碳化鉬
장발사%미파등리자체화학기상침적%비정탄%탄화목
对Al2O3陶瓷衬底进行粒度为W20的金刚砂机械抛光,采用磁控溅射方法镀过渡层Mo,对其表面进行Nd:YAG激光刻蚀处理.最后在微波等离子体增强化学汽相沉积(MPCVD)反应腔中在一定条件下沉积了薄膜,反应气体为CH4和H3.从样品的Raman谱可以看出薄膜有非晶碳成分.样品XRD谱线中有比较明显的晶态Mo2C衍射峰.所制备的样品为非晶碳/Mo2C混合结构薄膜.在高真空室中测量了样品的场发射特性,其开启场强为0.55V/μm,在1.8V/μm电场下测得样品的场发射电流密度为6.8 mA/cm2.由样品CCD照片观察其发射特性可以看出,样品发射点密度随场强的增大而增加,发射点比较均匀.同时计算样品在2.2 V/μm场强下样品发射点密度大于103/cm2.实验表明该薄膜是一种好的场致电子发射体.
對Al2O3陶瓷襯底進行粒度為W20的金剛砂機械拋光,採用磁控濺射方法鍍過渡層Mo,對其錶麵進行Nd:YAG激光刻蝕處理.最後在微波等離子體增彊化學汽相沉積(MPCVD)反應腔中在一定條件下沉積瞭薄膜,反應氣體為CH4和H3.從樣品的Raman譜可以看齣薄膜有非晶碳成分.樣品XRD譜線中有比較明顯的晶態Mo2C衍射峰.所製備的樣品為非晶碳/Mo2C混閤結構薄膜.在高真空室中測量瞭樣品的場髮射特性,其開啟場彊為0.55V/μm,在1.8V/μm電場下測得樣品的場髮射電流密度為6.8 mA/cm2.由樣品CCD照片觀察其髮射特性可以看齣,樣品髮射點密度隨場彊的增大而增加,髮射點比較均勻.同時計算樣品在2.2 V/μm場彊下樣品髮射點密度大于103/cm2.實驗錶明該薄膜是一種好的場緻電子髮射體.
대Al2O3도자츤저진행립도위W20적금강사궤계포광,채용자공천사방법도과도층Mo,대기표면진행Nd:YAG격광각식처리.최후재미파등리자체증강화학기상침적(MPCVD)반응강중재일정조건하침적료박막,반응기체위CH4화H3.종양품적Raman보가이간출박막유비정탄성분.양품XRD보선중유비교명현적정태Mo2C연사봉.소제비적양품위비정탄/Mo2C혼합결구박막.재고진공실중측량료양품적장발사특성,기개계장강위0.55V/μm,재1.8V/μm전장하측득양품적장발사전류밀도위6.8 mA/cm2.유양품CCD조편관찰기발사특성가이간출,양품발사점밀도수장강적증대이증가,발사점비교균균.동시계산양품재2.2 V/μm장강하양품발사점밀도대우103/cm2.실험표명해박막시일충호적장치전자발사체.
