红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2006年
2期
90-94
,共5页
胡伟达%陈效双%全知觉%周旭昌%陆卫
鬍偉達%陳效雙%全知覺%週旭昌%陸衛
호위체%진효쌍%전지각%주욱창%륙위
自对准双栅场效应晶体管%量子力学计算%短沟道效应%量子效应
自對準雙柵場效應晶體管%量子力學計算%短溝道效應%量子效應
자대준쌍책장효응정체관%양자역학계산%단구도효응%양자효응
采用有限元法自洽求解泊松-薛定谔方程,数值模拟了一种新型的亚50nm N沟道双栅MOS场效应晶体管的电学特性,系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律.比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值电压下跌和DIBL效应以及沟道跨道,获得了最佳硅鳍宽度(Tfin)和栅极长度(Lg)参数.模拟结果与实验数据的经典数值模拟进行了比较,表明由于电子束缚效应对器件性能的影响,考虑量子效应对FinFET器件的性能优化尤其重要.
採用有限元法自洽求解泊鬆-薛定諤方程,數值模擬瞭一種新型的亞50nm N溝道雙柵MOS場效應晶體管的電學特性,繫統闡述瞭呎吋參數對短溝道效應的影響規律.比較瞭不同呎吋參數下的亞閾值襬幅、閾值電壓下跌和DIBL效應以及溝道跨道,穫得瞭最佳硅鰭寬度(Tfin)和柵極長度(Lg)參數.模擬結果與實驗數據的經典數值模擬進行瞭比較,錶明由于電子束縳效應對器件性能的影響,攷慮量子效應對FinFET器件的性能優化尤其重要.
채용유한원법자흡구해박송-설정악방정,수치모의료일충신형적아50nm N구도쌍책MOS장효응정체관적전학특성,계통천술료척촌삼수대단구도효응적영향규률.비교료불동척촌삼수하적아역치파폭、역치전압하질화DIBL효응이급구도과도,획득료최가규기관도(Tfin)화책겁장도(Lg)삼수.모의결과여실험수거적경전수치모의진행료비교,표명유우전자속박효응대기건성능적영향,고필양자효응대FinFET기건적성능우화우기중요.
