半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
36-38
,共3页
张石勇%徐应强%任正伟%牛智川%吴荣汉
張石勇%徐應彊%任正偉%牛智川%吳榮漢
장석용%서응강%임정위%우지천%오영한
InGaNAs%快速热退火%spinodal分解
InGaNAs%快速熱退火%spinodal分解
InGaNAs%쾌속열퇴화%spinodal분해
从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移.
從繫統自由能角度,闡明瞭MBE生長的InGaNAs材料在高溫熱退火過程中材料內部的結構變化.在熱退火時,In-Ga互擴散和N-As互擴散引起spinodal分解,N原子趨嚮于與In結閤形成In-N鍵,使InGaNAs材料的帶隙增加,從而引起PL譜峰值的藍移.
종계통자유능각도,천명료MBE생장적InGaNAs재료재고온열퇴화과정중재료내부적결구변화.재열퇴화시,In-Ga호확산화N-As호확산인기spinodal분해,N원자추향우여In결합형성In-N건,사InGaNAs재료적대극증가,종이인기PL보봉치적람이.
