科技视界
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과기시계
Science&Technology Vision
2012年
17期
73-74
,共2页
薄膜%p-n结%整流
薄膜%p-n結%整流
박막%p-n결%정류
利用直流磁控溅射的方法,在n型Si衬底上沉积LaBaMnO3(LBMO)薄膜,从而形成p-n结并对其电流-电压(I—V)性能进行研究.在180-300K测试温度范围内,该p-n结表现出优良的整流性能,即正向导通、反向截止.外加电压为5V时,该p-n结的整流比(I+5V/I-5V)超过102数量级.
利用直流磁控濺射的方法,在n型Si襯底上沉積LaBaMnO3(LBMO)薄膜,從而形成p-n結併對其電流-電壓(I—V)性能進行研究.在180-300K測試溫度範圍內,該p-n結錶現齣優良的整流性能,即正嚮導通、反嚮截止.外加電壓為5V時,該p-n結的整流比(I+5V/I-5V)超過102數量級.
이용직류자공천사적방법,재n형Si츤저상침적LaBaMnO3(LBMO)박막,종이형성p-n결병대기전류-전압(I—V)성능진행연구.재180-300K측시온도범위내,해p-n결표현출우량적정류성능,즉정향도통、반향절지.외가전압위5V시,해p-n결적정류비(I+5V/I-5V)초과102수량급.
