退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究
퇴화온도대KDP정체광학균균성적영향연구
Study on improvement of the homogeneity of KDP crystals by annealing
  • 万方数据
    强激光与粒子束 강격광여입자속
    HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
    2004年 4期 437-440 ,共4页

    王圣来%王波%张光辉%牛爱芹%尹鑫%高樟寿%房昌水%孙洵%李义平

    왕골래%왕파%장광휘%우애근%윤흠%고장수%방창수%손순%리의평

    热退火%KDP晶体%消光比%干涉 熱退火%KDP晶體%消光比%榦涉
    열퇴화%KDP정체%소광비%간섭
    研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性.实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线.但是,退火温度太高(如170℃),也可能使晶体的均匀性降低.
    연구료린산이경갑(KDP)정체열퇴화전후광학균균성적변화,발현괄당온도하퇴화가이강저KDP정체적내응력,제고정체적소광비,종이제고정체적광학균균성.실험증명,50℃하퇴화즉가소제부분내응력,110℃하퇴화가이소제생장귀영화귀선.단시,퇴화온도태고(여170℃),야가능사정체적균균성강저.
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