54HCT244高速CMOS电路交流特性辐照退化研究
54HCT244고속CMOS전로교류특성복조퇴화연구
The irradiation degeneration of AC characteristic of 54HCT244 high-speed CMOS circuits
  • 万方数据
    核技术 핵기술
    NUCLEAR TECHNIQUES
    2003年 4期 287-290 ,共4页

    艾尔肯%严荣良%余学锋%郭旗%陆妩%任迪远%苏秀娣

    애이긍%엄영량%여학봉%곽기%륙무%임적원%소수제

    高速CMOS电路%交流特性%辐射退化 高速CMOS電路%交流特性%輻射退化
    고속CMOS전로%교류특성%복사퇴화
    本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在60Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系.研究表明,在低剂量率辐照下,延迟时间TPHL退化比高剂量率辐照下严重,且对加固电路,这一交流特性退化的剂量率效应更为明显.辐照偏置对延迟时间退化具有强烈的影响,4.5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的TPLH和TPHL产生较早而明显地退化.
    본문연구료국산고속CMOS전로54HCT244팔완충기/선구동기재60Co복조하,교류특성퇴화여총제량、제량솔、복조편치화공예조건적관계.연구표명,재저제량솔복조하,연지시간TPHL퇴화비고제량솔복조하엄중,차대가고전로,저일교류특성퇴화적제량솔효응경위명현.복조편치대연지시간퇴화구유강렬적영향,4.5V화0V이충편치상태장분별도치전로적TPLH화TPHL산생교조이명현지퇴화.
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