硅酸盐学报
硅痠鹽學報
규산염학보
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2003年
3期
241-245
,共5页
刘继进%何莉萍%陈宗璋%向兰翔%邵长贵%罗上庚
劉繼進%何莉萍%陳宗璋%嚮蘭翔%邵長貴%囉上庚
류계진%하리평%진종장%향란상%소장귀%라상경
钇稳定四方氧化锆%晶界导电%前驱体"清除"%交流阻抗谱
釔穩定四方氧化鋯%晶界導電%前驅體"清除"%交流阻抗譜
을은정사방양화고%정계도전%전구체"청제"%교류조항보
研究了添加1%Al2O3(摩尔分数)和前驱体"清除"晶界杂质两种改善晶界导电性能的方法,对四方氧化锆(3%Y2O3-doped tetragonal zirconia,3YTZ)陶瓷烧结体的导电性能的影响.运用XRD,SEM分析了它们的相组成及其微观结构.在200～750℃下进行交流阻抗谱测试,结果表明:2种方法均对晶界导电性能有明显改善.Al2O3自ZrO2晶界进入晶粒,参与替代锆原子,与氧离子空位形成缔合物,降低了氧离子空位浓度,引起晶粒电阻有所增大,但前驱体"清除"对晶粒电阻没有影响.有效氧离子空位浓度的变化,引起了1 550℃烧成的3YTZ+1%Al2O3和3YTZ陶瓷样品的晶界电导活化能在高低温度区的差异.
研究瞭添加1%Al2O3(摩爾分數)和前驅體"清除"晶界雜質兩種改善晶界導電性能的方法,對四方氧化鋯(3%Y2O3-doped tetragonal zirconia,3YTZ)陶瓷燒結體的導電性能的影響.運用XRD,SEM分析瞭它們的相組成及其微觀結構.在200～750℃下進行交流阻抗譜測試,結果錶明:2種方法均對晶界導電性能有明顯改善.Al2O3自ZrO2晶界進入晶粒,參與替代鋯原子,與氧離子空位形成締閤物,降低瞭氧離子空位濃度,引起晶粒電阻有所增大,但前驅體"清除"對晶粒電阻沒有影響.有效氧離子空位濃度的變化,引起瞭1 550℃燒成的3YTZ+1%Al2O3和3YTZ陶瓷樣品的晶界電導活化能在高低溫度區的差異.
연구료첨가1%Al2O3(마이분수)화전구체"청제"정계잡질량충개선정계도전성능적방법,대사방양화고(3%Y2O3-doped tetragonal zirconia,3YTZ)도자소결체적도전성능적영향.운용XRD,SEM분석료타문적상조성급기미관결구.재200～750℃하진행교류조항보측시,결과표명:2충방법균대정계도전성능유명현개선.Al2O3자ZrO2정계진입정립,삼여체대고원자,여양리자공위형성체합물,강저료양리자공위농도,인기정립전조유소증대,단전구체"청제"대정립전조몰유영향.유효양리자공위농도적변화,인기료1 550℃소성적3YTZ+1%Al2O3화3YTZ도자양품적정계전도활화능재고저온도구적차이.
