传感器技术
傳感器技術
전감기기술
JOURNAL OF TRANSDUCER TECHNOLOGY
2001年
1期
21-22
,共2页
黄世震%林伟%陈伟%陈知前
黃世震%林偉%陳偉%陳知前
황세진%림위%진위%진지전
纳米WO3%H2S%ZnS
納米WO3%H2S%ZnS
납미WO3%H2S%ZnS
以纳米WO3材料,分别掺入SnO2、ZnS,制备成H2S气敏元件。实验表明,当WO3掺入适量ZnS,元件对H2S气体具有较高的灵敏度及选择性。
以納米WO3材料,分彆摻入SnO2、ZnS,製備成H2S氣敏元件。實驗錶明,噹WO3摻入適量ZnS,元件對H2S氣體具有較高的靈敏度及選擇性。
이납미WO3재료,분별참입SnO2、ZnS,제비성H2S기민원건。실험표명,당WO3참입괄량ZnS,원건대H2S기체구유교고적령민도급선택성。
The H2S gas sensor is made by nanosized WO3 doped with SnO2, ZnS. It shows that ZnS-WO3 gas sensor to H2S has high sensitivity and good selectivity.