VDMOS过温保护功能的实现
VDMOS과온보호공능적실현
Realization of Over-Temperature Protection for VDMOS
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2012年 3期 352-355 ,共4页

    何建%谭开洲%徐学良%王健安%陈光炳%刘小龙%任敏%李泽宏%张金平

    하건%담개주%서학량%왕건안%진광병%류소룡%임민%리택굉%장금평

    VDMOS%过热保护%可靠性%热滞回 VDMOS%過熱保護%可靠性%熱滯迴
    VDMOS%과열보호%가고성%열체회
    提出一种内部集成过温保护功能的VDMOS器件.对传统过温保护原理进行了分析,在此基础上,提出了一种适用于功率器件过温保护的改进电路结构.仿真结果表明,该器件在温度超过174℃时实现自关断,在温度降回142℃时实现自重启.该温度迟滞功能可有效防止热振荡.
    제출일충내부집성과온보호공능적VDMOS기건.대전통과온보호원리진행료분석,재차기출상,제출료일충괄용우공솔기건과온보호적개진전로결구.방진결과표명,해기건재온도초과174℃시실현자관단,재온도강회142℃시실현자중계.해온도지체공능가유효방지열진탕.
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