硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光
규、타화아리자주입부규이양화규적전치발광
Electroluminescence of Si,Ge and Ar IOn-Implanted Si-Rich SiO2
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2000年 7期 667-672 ,共6页

    王艳兵%孙永科%乔永平%张伯蕊%秦国刚%陈文台%龚义元%吴德馨%马振昌%宗婉华

    왕염병%손영과%교영평%장백예%진국강%진문태%공의원%오덕형%마진창%종완화

    硅基发光%电致发光%发光中心%纳米硅(锗)%量子限制%离子注入 硅基髮光%電緻髮光%髮光中心%納米硅(鍺)%量子限製%離子註入
    규기발광%전치발광%발광중심%납미규(타)%양자한제%리자주입
    将Si、Ge和Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中,在N2气氛中,作550、650、750、850、950和1050℃退火后,进行电致发光研究.对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅.对于离子注入情况,只观察到Au/1050℃退火的离子注入的富硅二氧化硅/p-Si的电致发光.低于1050℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅,无论离子注入与否,都未观察到电致发光.Au/未注入富硅二氧化硅/p-Si的电致发光光谱在1.8eV处出现主峰,在2.4eV处还有一肩峰.在Au/Si注入富硅二氧化硅/p-Si的电致发光谱中,上述两峰的强度分别增加了2倍和8倍;在Au/Ge注入不大,但都观测到峰位位于2.2eV的新发光峰.采用隧穿-量子限制-发光中心模型对实验结果进行了分析和解释.
    장Si、Ge화Ar삼충리자주입도자공천사제비적부규이양화규화열생장적이양화규중,재N2기분중,작550、650、750、850、950화1050℃퇴화후,진행전치발광연구.대비양품위퇴화조건상동적미경주입적상술량충이양화규.대우리자주입정황,지관찰도Au/1050℃퇴화적리자주입적부규이양화규/p-Si적전치발광.저우1050℃퇴화적리자주입부규이양화규화상술각충온도하퇴화적열생장이양화규,무론리자주입여부,도미관찰도전치발광.Au/미주입부규이양화규/p-Si적전치발광광보재1.8eV처출현주봉,재2.4eV처환유일견봉.재Au/Si주입부규이양화규/p-Si적전치발광보중,상술량봉적강도분별증가료2배화8배;재Au/Ge주입불대,단도관측도봉위위우2.2eV적신발광봉.채용수천-양자한제-발광중심모형대실험결과진행료분석화해석.
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