半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
7期
652-656
,共5页
于磊%曾一平%潘量%孔梅影%李晋闽%李灵霄%周宏伟
于磊%曾一平%潘量%孔梅影%李晉閩%李靈霄%週宏偉
우뢰%증일평%반량%공매영%리진민%리령소%주굉위
InxGa1-xAs/GaAs量子点(QD)%自组织生长%衬底温度%生长速率
InxGa1-xAs/GaAs量子點(QD)%自組織生長%襯底溫度%生長速率
InxGa1-xAs/GaAs양자점(QD)%자조직생장%츤저온도%생장속솔
研究GaAs基InxGa1-xAs/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件,发现在一定的Ⅴ/Ⅲ比下,衬底温度和生长速率是影响InxGa1-xAs/GaAsQD形成及形状的一对重要因素,其中衬底温度直接影响着In的偏析程度,决定了InxGa1-xAs/GaAs的生长模式;生长速率影响着InxGa1-xAs外延层的质量,决定了InxGa1-xAs/GaAsQD的形状及尺寸.通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的InxGa1-xAs/GaAsQD(x＝0.3).
研究GaAs基InxGa1-xAs/GaAs量子點(QD)的MBE生長條件,髮現在一定的Ⅴ/Ⅲ比下,襯底溫度和生長速率是影響InxGa1-xAs/GaAsQD形成及形狀的一對重要因素,其中襯底溫度直接影響著In的偏析程度,決定瞭InxGa1-xAs/GaAs的生長模式;生長速率影響著InxGa1-xAs外延層的質量,決定瞭InxGa1-xAs/GaAsQD的形狀及呎吋.通過調節襯底溫度和生長速率生長齣瞭形狀規則、呎吋較均勻的InxGa1-xAs/GaAsQD(x＝0.3).
연구GaAs기InxGa1-xAs/GaAs양자점(QD)적MBE생장조건,발현재일정적Ⅴ/Ⅲ비하,츤저온도화생장속솔시영향InxGa1-xAs/GaAsQD형성급형상적일대중요인소,기중츤저온도직접영향착In적편석정도,결정료InxGa1-xAs/GaAs적생장모식;생장속솔영향착InxGa1-xAs외연층적질량,결정료InxGa1-xAs/GaAsQD적형상급척촌.통과조절츤저온도화생장속솔생장출료형상규칙、척촌교균균적InxGa1-xAs/GaAsQD(x＝0.3).
