半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2000年
2期
140-142
,共3页
柳兆洪%陈谋智%徐广海%孙书农%刘瑞堂
柳兆洪%陳謀智%徐廣海%孫書農%劉瑞堂
류조홍%진모지%서엄해%손서농%류서당
交流电致发光%阈值电压%势垒层%X射线光电子能谱
交流電緻髮光%閾值電壓%勢壘層%X射線光電子能譜
교류전치발광%역치전압%세루층%X사선광전자능보
对掺饵硫化锌交流电致发光薄膜器件 (ACTFELD),根据载流子隧穿势垒层会获得能量增益,提高激发效率的原理,通过改变常规 ZnS:Er ACTFELD 的基本结构,研制出多阻挡层器件.实验证实,这种多阻挡层器件具有高的阈值电压和高的电致发光亮度.
對摻餌硫化鋅交流電緻髮光薄膜器件 (ACTFELD),根據載流子隧穿勢壘層會穫得能量增益,提高激髮效率的原理,通過改變常規 ZnS:Er ACTFELD 的基本結構,研製齣多阻擋層器件.實驗證實,這種多阻擋層器件具有高的閾值電壓和高的電緻髮光亮度.
대참이류화자교류전치발광박막기건 (ACTFELD),근거재류자수천세루층회획득능량증익,제고격발효솔적원리,통과개변상규 ZnS:Er ACTFELD 적기본결구,연제출다조당층기건.실험증실,저충다조당층기건구유고적역치전압화고적전치발광량도.
