横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究
횡향외연GaN결정질량적동보복사연구
Synchrotron X-ray diffraction analysis of epitaxial GaN layer laterally overgrown
  • 万方数据
    核技术 핵기술
    NUCLEAR TECHNIQUES
    2002年 10期 770-774 ,共5页

    冯淦%郑新和%王玉田%杨辉%梁骏吾%郑文莉%贾全杰

    풍감%정신화%왕옥전%양휘%량준오%정문리%가전걸

    GaN%横向外延生长%晶面倾斜%晶粒度%同步辐射X光衍射 GaN%橫嚮外延生長%晶麵傾斜%晶粒度%同步輻射X光衍射
    GaN%횡향외연생장%정면경사%정립도%동보복사X광연사
    采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al2O3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征.发现横向生长区的GaN(0001)晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差.ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半,这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时,还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸.
    채용동보복사X광연사기술연구료α-Al2O3(0001)츤저상횡향외연GaN적결구특정.발현횡향생장구적GaN(0001)정면여창구구적GaN(0001)정면재수직엄모방향상존재취향차.ω/2θ련동소묘발현횡향생장구적GaN적연사봉반고관약위창구구GaN적일반,저표명횡향외연생장기술재강저GaN천투위착밀도적동시,환능대폭도제고GaN적정립척촌.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문