半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
10期
1073-1077
,共5页
张维连%李嘉席%陈洪建%孙军生%张建新%张恩怀%赵红生
張維連%李嘉席%陳洪建%孫軍生%張建新%張恩懷%趙紅生
장유련%리가석%진홍건%손군생%장건신%장은부%조홍생
掺锗直拉硅%氧沉淀%分凝%晶体缺陷
摻鍺直拉硅%氧沉澱%分凝%晶體缺陷
참타직랍규%양침정%분응%정체결함
利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(锗硅重量比)的锗硅单晶.利用化学腐蚀-金相显微镜法、扫描电子显微镜(SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况.发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同,体内存在着较高密度的氧微沉淀.在晶体尾部,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集,出现了"组分过冷"现象,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长.晶体中高密度氧的微沉淀经过1250℃热处理1h后会溶解消失.
利用鍺硅單晶(鍺濃度約為1019cm-3)切製成的籽晶和一般無位錯硅單晶生長的縮細頸工藝以及從晶體頭部至尾部平穩降低拉速的工藝,生長瞭直徑為60、50和40mm,摻鍺量為0.1%和0.5%(鍺硅重量比)的鍺硅單晶.利用化學腐蝕-金相顯微鏡法、掃描電子顯微鏡(SEM)能譜分析和X射線雙晶衍射等方法觀測瞭摻鍺硅的原生晶體中缺陷及氧的沉澱的狀況.髮現用CZ法生長的鍺硅原生晶體與常規工藝生長的CZSi晶體不同,體內存在著較高密度的氧微沉澱.在晶體尾部,由于鍺的分凝使鎔體中鍺高度富集,齣現瞭"組分過冷"現象,在晶粒間界應力較大處有鍺的析齣併齣現瞭枝狀結晶生長.晶體中高密度氧的微沉澱經過1250℃熱處理1h後會溶解消失.
이용타규단정(타농도약위1019cm-3)절제성적자정화일반무위착규단정생장적축세경공예이급종정체두부지미부평은강저랍속적공예,생장료직경위60、50화40mm,참타량위0.1%화0.5%(타규중량비)적타규단정.이용화학부식-금상현미경법、소묘전자현미경(SEM)능보분석화X사선쌍정연사등방법관측료참타규적원생정체중결함급양적침정적상황.발현용CZ법생장적타규원생정체여상규공예생장적CZSi정체불동,체내존재착교고밀도적양미침정.재정체미부,유우타적분응사용체중타고도부집,출현료"조분과랭"현상,재정립간계응력교대처유타적석출병출현료지상결정생장.정체중고밀도양적미침정경과1250℃열처리1h후회용해소실.
