压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2001年
6期
453-456
,共4页
王宁章%鲍军波%陈涛%冯汉华%黄新堂%袁润章%李兴教
王寧章%鮑軍波%陳濤%馮漢華%黃新堂%袁潤章%李興教
왕저장%포군파%진도%풍한화%황신당%원윤장%리흥교
铁电薄膜%电流温度特性%Sub-100 nm
鐵電薄膜%電流溫度特性%Sub-100 nm
철전박막%전류온도특성%Sub-100 nm
用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄薄膜BIT/p-Si(100)和PZT/p-Si(100),借助于X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了薄膜的显微结构,并对这两种极薄铁电薄膜Au/BIT/p-Si(100)和Au/pZT/p-Si(100)的J-V曲线温度特性进行了拟合分析讨论.模拟分析结果表明,在负温区,电流密度J对温度T有较强的依赖关系,但与通常欧姆电流温度关系不同.而在正温区,服从J=KV2关系,ε和SCLC电流密度J则与温度T无关.
用準分子激光掃描原位澱積法製備瞭極薄薄膜BIT/p-Si(100)和PZT/p-Si(100),藉助于X-射線衍射(XRD)和掃描電鏡(SEM)研究瞭薄膜的顯微結構,併對這兩種極薄鐵電薄膜Au/BIT/p-Si(100)和Au/pZT/p-Si(100)的J-V麯線溫度特性進行瞭擬閤分析討論.模擬分析結果錶明,在負溫區,電流密度J對溫度T有較彊的依賴關繫,但與通常歐姆電流溫度關繫不同.而在正溫區,服從J=KV2關繫,ε和SCLC電流密度J則與溫度T無關.
용준분자격광소묘원위정적법제비료겁박박막BIT/p-Si(100)화PZT/p-Si(100),차조우X-사선연사(XRD)화소묘전경(SEM)연구료박막적현미결구,병대저량충겁박철전박막Au/BIT/p-Si(100)화Au/pZT/p-Si(100)적J-V곡선온도특성진행료의합분석토론.모의분석결과표명,재부온구,전류밀도J대온도T유교강적의뢰관계,단여통상구모전류온도관계불동.이재정온구,복종J=KV2관계,ε화SCLC전류밀도J칙여온도T무관.
