航空兵器
航空兵器
항공병기
HANGKONG BINGQI
2001年
5期
13-15
,共3页
FPA PECVD SiOx 表面复合
FPA PECVD SiOx 錶麵複閤
FPA PECVD SiOx 표면복합
InSb凝视焦平面器件(FPA)制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需在表面沉积减反/钝化膜,增大InSb芯片对红外光的吸收,同时减少载流子的表面复合.本文介绍了采用等离子化学气相沉积(PECVD)方法在几种不同沉积条件下生长的SiOx,测量其光谱透过率及C-V特性,通过对沉积条件进行优化分析,获得了适合于FPA中InSb芯片的既能有效减反又可以有效降低表面复合的沉积条件.
InSb凝視焦平麵器件(FPA)製造中,InSb芯片揹麵經磨拋減薄後需在錶麵沉積減反/鈍化膜,增大InSb芯片對紅外光的吸收,同時減少載流子的錶麵複閤.本文介紹瞭採用等離子化學氣相沉積(PECVD)方法在幾種不同沉積條件下生長的SiOx,測量其光譜透過率及C-V特性,通過對沉積條件進行優化分析,穫得瞭適閤于FPA中InSb芯片的既能有效減反又可以有效降低錶麵複閤的沉積條件.
InSb응시초평면기건(FPA)제조중,InSb심편배면경마포감박후수재표면침적감반/둔화막,증대InSb심편대홍외광적흡수,동시감소재류자적표면복합.본문개소료채용등리자화학기상침적(PECVD)방법재궤충불동침적조건하생장적SiOx,측량기광보투과솔급C-V특성,통과대침적조건진행우화분석,획득료괄합우FPA중InSb심편적기능유효감반우가이유효강저표면복합적침적조건.
