半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
158-160
,共3页
刘波%宋志棠%封松林%Chen Bomy
劉波%宋誌棠%封鬆林%Chen Bomy
류파%송지당%봉송림%Chen Bomy
Ge2Sb2Te5%硅离子注入掺杂%方块电阻
Ge2Sb2Te5%硅離子註入摻雜%方塊電阻
Ge2Sb2Te5%규리자주입참잡%방괴전조
采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围.
採用磁控射頻濺射法製備瞭Ge2Sb2Te5薄膜,利用離子註入法研究瞭硅摻雜對薄膜結構和電阻性能的影響.研究髮現,由于硅的摻雜,Ge2Sb2Te5薄膜的結構不僅保留瞭原有的麵心立方低溫晶相和六方高溫晶相,而且齣現瞭蔆形六麵體的Sb2Te3晶相;摻雜硅後,Ge2Sb2Te5薄膜的電阻有較大變化,晶態電阻的提高有利于降低非晶化相變過程的操作電流,薄膜電阻-溫度穩定性的改善可保證有較寬的操作電流波動範圍.
채용자공사빈천사법제비료Ge2Sb2Te5박막,이용리자주입법연구료규참잡대박막결구화전조성능적영향.연구발현,유우규적참잡,Ge2Sb2Te5박막적결구불부보류료원유적면심립방저온정상화륙방고온정상,이차출현료릉형륙면체적Sb2Te3정상;참잡규후,Ge2Sb2Te5박막적전조유교대변화,정태전조적제고유리우강저비정화상변과정적조작전류,박막전조-온도은정성적개선가보증유교관적조작전류파동범위.
