微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
8期
488-491
,共4页
周国安%种宝春%柳滨%王学军
週國安%種寶春%柳濱%王學軍
주국안%충보춘%류빈%왕학군
化学机械抛光%抛光垫%玻璃过渡温度%机械动力分析%热机械分析%修整器
化學機械拋光%拋光墊%玻璃過渡溫度%機械動力分析%熱機械分析%脩整器
화학궤계포광%포광점%파리과도온도%궤계동력분석%열궤계분석%수정기
以IC1000/Suba Ⅳ抛光垫为例,综述了影响抛光垫性能的各种因素,以文献相关数据为依据,着重分析了抛光温度和修整力对抛光垫性能的影响.从分析结果可以得出:IC1000/SubaⅣ比单层结构IC1000具有更好的抛光效果;新旧抛光垫性能在0～40℃基本相当;新、旧和没有黏合剂抛光垫的正常工作温度为-2.02～103.64℃,且玻璃过渡温度随着抛光垫厚度的减小而增加;抛光垫在0～50℃具有最小的外形变化.定性得出修整力与抛光精度成反比关系,明确了较小修整深度具备较好的平坦化效果.
以IC1000/Suba Ⅳ拋光墊為例,綜述瞭影響拋光墊性能的各種因素,以文獻相關數據為依據,著重分析瞭拋光溫度和脩整力對拋光墊性能的影響.從分析結果可以得齣:IC1000/SubaⅣ比單層結構IC1000具有更好的拋光效果;新舊拋光墊性能在0～40℃基本相噹;新、舊和沒有黏閤劑拋光墊的正常工作溫度為-2.02～103.64℃,且玻璃過渡溫度隨著拋光墊厚度的減小而增加;拋光墊在0～50℃具有最小的外形變化.定性得齣脩整力與拋光精度成反比關繫,明確瞭較小脩整深度具備較好的平坦化效果.
이IC1000/Suba Ⅳ포광점위례,종술료영향포광점성능적각충인소,이문헌상관수거위의거,착중분석료포광온도화수정력대포광점성능적영향.종분석결과가이득출:IC1000/SubaⅣ비단층결구IC1000구유경호적포광효과;신구포광점성능재0～40℃기본상당;신、구화몰유점합제포광점적정상공작온도위-2.02～103.64℃,차파리과도온도수착포광점후도적감소이증가;포광점재0～50℃구유최소적외형변화.정성득출수정력여포광정도성반비관계,명학료교소수정심도구비교호적평탄화효과.
