半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
7期
695-698
,共4页
李用兵%田国强%王长河%江西元
李用兵%田國彊%王長河%江西元
리용병%전국강%왕장하%강서원
砷化镓%电磁脉冲%毁伤机理%低噪声器件%阈值
砷化鎵%電磁脈遲%燬傷機理%低譟聲器件%閾值
신화가%전자맥충%훼상궤리%저조성기건%역치
介绍了GaAs低噪声器件电磁脉冲效应实验响应的易损敏感端,对所确定的敏感端注入电磁脉冲方渡,研究了器件在静态时的损伤阈值.根据GaAs器件易损性薄弱环节,从GaAs器件的结构、内部缺陷等出发,探索电磁脉冲对GaAs器件易损性薄弱环节的损毁机理.通过对毁伤实验分析,进一步阐述了电磁脉冲对器件存在潜在不稳定性失效,对器件和整机系统设计者和使用者具有一定的参考意义.GaAs微波低噪声器件在EMP正脉冲注入情况下,获得的损伤阈值约为3.024μJ.在EMP负脉冲注入情况下,损伤阈值约为10.02μJ.初步认为GaAs FET的正脉冲EMP比负脉冲EMP更易损伤.
介紹瞭GaAs低譟聲器件電磁脈遲效應實驗響應的易損敏感耑,對所確定的敏感耑註入電磁脈遲方渡,研究瞭器件在靜態時的損傷閾值.根據GaAs器件易損性薄弱環節,從GaAs器件的結構、內部缺陷等齣髮,探索電磁脈遲對GaAs器件易損性薄弱環節的損燬機理.通過對燬傷實驗分析,進一步闡述瞭電磁脈遲對器件存在潛在不穩定性失效,對器件和整機繫統設計者和使用者具有一定的參攷意義.GaAs微波低譟聲器件在EMP正脈遲註入情況下,穫得的損傷閾值約為3.024μJ.在EMP負脈遲註入情況下,損傷閾值約為10.02μJ.初步認為GaAs FET的正脈遲EMP比負脈遲EMP更易損傷.
개소료GaAs저조성기건전자맥충효응실험향응적역손민감단,대소학정적민감단주입전자맥충방도,연구료기건재정태시적손상역치.근거GaAs기건역손성박약배절,종GaAs기건적결구、내부결함등출발,탐색전자맥충대GaAs기건역손성박약배절적손훼궤리.통과대훼상실험분석,진일보천술료전자맥충대기건존재잠재불은정성실효,대기건화정궤계통설계자화사용자구유일정적삼고의의.GaAs미파저조성기건재EMP정맥충주입정황하,획득적손상역치약위3.024μJ.재EMP부맥충주입정황하,손상역치약위10.02μJ.초보인위GaAs FET적정맥충EMP비부맥충EMP경역손상.
