功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2010年
9期
1529-1531,1535
,共4页
叶芸%游玉香%汤巧治%郭太良
葉蕓%遊玉香%湯巧治%郭太良
협예%유옥향%탕교치%곽태량
碳纳米管%场发射%氧化%XPS
碳納米管%場髮射%氧化%XPS
탄납미관%장발사%양화%XPS
研究了强HNO3和HNO3-H2SO4氧化对碳纳米管(carbon nanotubes, CNTs)场发射特性的影响,采用TEM、Raman、XPS和J-E进行了表征.实验结果表明,HNO3和HNO3-H2SO4可去除碳纳米管中的催化剂颗粒、无定形碳及碳纳米微粒等杂质;由于H2SO4具有协同氧化和脱水作用,使得混酸氧化后的碳纳米管具有更高的无序程度和缺陷密度,且表面存在C-OH,CO,COOH等氧化基团.HNO3和HNO3-H2SO4氧化碳纳米管的开启电场分别为1.7和1.1V/μm,当电场增大至3.0V/μm的电场下对应的发射电流密度分别为1.8和4.2mA/cm2.
研究瞭彊HNO3和HNO3-H2SO4氧化對碳納米管(carbon nanotubes, CNTs)場髮射特性的影響,採用TEM、Raman、XPS和J-E進行瞭錶徵.實驗結果錶明,HNO3和HNO3-H2SO4可去除碳納米管中的催化劑顆粒、無定形碳及碳納米微粒等雜質;由于H2SO4具有協同氧化和脫水作用,使得混痠氧化後的碳納米管具有更高的無序程度和缺陷密度,且錶麵存在C-OH,CO,COOH等氧化基糰.HNO3和HNO3-H2SO4氧化碳納米管的開啟電場分彆為1.7和1.1V/μm,噹電場增大至3.0V/μm的電場下對應的髮射電流密度分彆為1.8和4.2mA/cm2.
연구료강HNO3화HNO3-H2SO4양화대탄납미관(carbon nanotubes, CNTs)장발사특성적영향,채용TEM、Raman、XPS화J-E진행료표정.실험결과표명,HNO3화HNO3-H2SO4가거제탄납미관중적최화제과립、무정형탄급탄납미미립등잡질;유우H2SO4구유협동양화화탈수작용,사득혼산양화후적탄납미관구유경고적무서정도화결함밀도,차표면존재C-OH,CO,COOH등양화기단.HNO3화HNO3-H2SO4양화탄납미관적개계전장분별위1.7화1.1V/μm,당전장증대지3.0V/μm적전장하대응적발사전류밀도분별위1.8화4.2mA/cm2.
