GaN微电子器件的研究进展
GaN미전자기건적연구진전
The research of the GaN microelectronic devices
  • 万方数据
    河北省科学院学报 하북성과학원학보
    JOURNAL OF THE HEBEI ACADEMY OF SCIENCES
    2011年 1期 49-55 ,共7页

    吕曼%司晓琨%杨立军

    려만%사효곤%양립군

    GaN%GaN材科%GaN器件 GaN%GaN材科%GaN器件
    GaN%GaN재과%GaN기건
    介绍了GaN材料的优良特性以及工艺上存在的问题;着重介绍了GaN微电子器件的历史发展和最新发展;GaN微电子器件发展表现出较大应用潜力.
    개소료GaN재료적우량특성이급공예상존재적문제;착중개소료GaN미전자기건적역사발전화최신발전;GaN미전자기건발전표현출교대응용잠력.
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