激光诱导单层纳米硅结构的形成及其发光特性
격광유도단층납미규결구적형성급기발광특성
Formation of a Single-Layer Si Nanostructure and Its Luminescence Characteristics
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 6期 1016-1020 ,共5页

    岑展鸿%徐骏%李鑫%李伟%陈三%刘艳松%黄信凡%陈坤基

    잠전홍%서준%리흠%리위%진삼%류염송%황신범%진곤기

    纳米硅%激光晶化%光致发光 納米硅%激光晶化%光緻髮光
    납미규%격광정화%광치발광
    结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜、透射电子显微镜和Raman散射谱进行表征,证实了晶化过程的发生和纳米硅晶粒的形成.在得到的5nm厚晶化样品中观察到在660nm左右范围内光致发光峰,初步的分析表明其发光与纳米硅晶粒的形成有关.
    결합격광퇴화여상규열퇴화방법대초박비정규층작용,재절연츤저상획득료고밀도적、균균적단층납미규결구.소득양품통과원자력현미경、투사전자현미경화Raman산사보진행표정,증실료정화과정적발생화납미규정립적형성.재득도적5nm후정화양품중관찰도재660nm좌우범위내광치발광봉,초보적분석표명기발광여납미규정립적형성유관.
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