功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2006年
6期
524-528
,共5页
GaN%高分辨X射线衍射%位错密度%掠入射
GaN%高分辨X射線衍射%位錯密度%掠入射
GaN%고분변X사선연사%위착밀도%략입사
通过对常压MOCVD工艺下制备的GaN/Al2O3两种样品的X射线衍射分析,利用不同的掠入射角及倾斜ω扫描,精确测量了GaN薄膜的晶体结构和位错密度,据此提出了一种表征薄膜纵向位错密度的新方法.结果表明实验制备的GaN薄膜具有相当一致的c轴取向,对称衍射(002)面ω扫描半峰宽分别为229.8arcsec、225.7 arcsec;同时,根据倾斜对称ω扫描半峰宽分析认为样品A、B的位错密度分别约为4.0801×108/cm2,5.8724×108/cm2,其样品A的位错密度小于样品B,但PL谱给出样品A的发光效率低于样品B;而根据不同的掠入射ω扫描推断出样品A的位错密度大于样品B,与相应的发光性能吻合.
通過對常壓MOCVD工藝下製備的GaN/Al2O3兩種樣品的X射線衍射分析,利用不同的掠入射角及傾斜ω掃描,精確測量瞭GaN薄膜的晶體結構和位錯密度,據此提齣瞭一種錶徵薄膜縱嚮位錯密度的新方法.結果錶明實驗製備的GaN薄膜具有相噹一緻的c軸取嚮,對稱衍射(002)麵ω掃描半峰寬分彆為229.8arcsec、225.7 arcsec;同時,根據傾斜對稱ω掃描半峰寬分析認為樣品A、B的位錯密度分彆約為4.0801×108/cm2,5.8724×108/cm2,其樣品A的位錯密度小于樣品B,但PL譜給齣樣品A的髮光效率低于樣品B;而根據不同的掠入射ω掃描推斷齣樣品A的位錯密度大于樣品B,與相應的髮光性能吻閤.
통과대상압MOCVD공예하제비적GaN/Al2O3량충양품적X사선연사분석,이용불동적략입사각급경사ω소묘,정학측량료GaN박막적정체결구화위착밀도,거차제출료일충표정박막종향위착밀도적신방법.결과표명실험제비적GaN박막구유상당일치적c축취향,대칭연사(002)면ω소묘반봉관분별위229.8arcsec、225.7 arcsec;동시,근거경사대칭ω소묘반봉관분석인위양품A、B적위착밀도분별약위4.0801×108/cm2,5.8724×108/cm2,기양품A적위착밀도소우양품B,단PL보급출양품A적발광효솔저우양품B;이근거불동적략입사ω소묘추단출양품A적위착밀도대우양품B,여상응적발광성능문합.
