物理学报
物理學報
물이학보
2007年
5期
2905-2909
,共5页
张剑铭%邹德恕%刘思南%徐晨%沈光地
張劍銘%鄒德恕%劉思南%徐晨%瀋光地
장검명%추덕서%류사남%서신%침광지
铝镓铟磷%薄膜发光管%全方位反射镜%发光强度
鋁鎵銦燐%薄膜髮光管%全方位反射鏡%髮光彊度
려가인린%박막발광관%전방위반사경%발광강도
提出了一种新型全方位反射铝镓铟磷(AlGaIInP)薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺,在这个结构里应用了低折射率的介质和高反射率的金属联合作为反光镜.用金锡合金(80Au20Sn,重量比)作为焊料把带有反光镜的AIGaInP LED外延片倒装键合到GaAs基板上(RS-LED),去掉外延片CaAs衬底,把被GaAS衬底吸收的光反射出去.通过与常规A1GaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)带有DBR的AIGaInP吸收衬底LED8(AS-LED(DBR))电、光特性的比较,证明新型全方位反射AIGaInP薄膜LED结构能极大提高亮度和效率.正向电流20 mA时,RS-LED的光输出功率和流明效率分别是AS-LED的3.2倍和2.2倍,是AS-LED(DBR)的2倍和1.5倍.RS-LED(20 mA下峰值波长627 nm)的轴向光强达到194.3mcd,是AS-LED(20 mA下峰值波长624 NM)轴向光强的2.8倍,是AS-LED(DBR)(20 mA下峰值波长623 nm)轴向光强的1.6倍.
提齣瞭一種新型全方位反射鋁鎵銦燐(AlGaIInP)薄膜髮光二極管(LED)的結構和製作工藝,在這箇結構裏應用瞭低摺射率的介質和高反射率的金屬聯閤作為反光鏡.用金錫閤金(80Au20Sn,重量比)作為銲料把帶有反光鏡的AIGaInP LED外延片倒裝鍵閤到GaAs基闆上(RS-LED),去掉外延片CaAs襯底,把被GaAS襯底吸收的光反射齣去.通過與常規A1GaInP吸收襯底LEDs(AS-LED)帶有DBR的AIGaInP吸收襯底LED8(AS-LED(DBR))電、光特性的比較,證明新型全方位反射AIGaInP薄膜LED結構能極大提高亮度和效率.正嚮電流20 mA時,RS-LED的光輸齣功率和流明效率分彆是AS-LED的3.2倍和2.2倍,是AS-LED(DBR)的2倍和1.5倍.RS-LED(20 mA下峰值波長627 nm)的軸嚮光彊達到194.3mcd,是AS-LED(20 mA下峰值波長624 NM)軸嚮光彊的2.8倍,是AS-LED(DBR)(20 mA下峰值波長623 nm)軸嚮光彊的1.6倍.
제출료일충신형전방위반사려가인린(AlGaIInP)박막발광이겁관(LED)적결구화제작공예,재저개결구리응용료저절사솔적개질화고반사솔적금속연합작위반광경.용금석합금(80Au20Sn,중량비)작위한료파대유반광경적AIGaInP LED외연편도장건합도GaAs기판상(RS-LED),거도외연편CaAs츤저,파피GaAS츤저흡수적광반사출거.통과여상규A1GaInP흡수츤저LEDs(AS-LED)대유DBR적AIGaInP흡수츤저LED8(AS-LED(DBR))전、광특성적비교,증명신형전방위반사AIGaInP박막LED결구능겁대제고량도화효솔.정향전류20 mA시,RS-LED적광수출공솔화류명효솔분별시AS-LED적3.2배화2.2배,시AS-LED(DBR)적2배화1.5배.RS-LED(20 mA하봉치파장627 nm)적축향광강체도194.3mcd,시AS-LED(20 mA하봉치파장624 NM)축향광강적2.8배,시AS-LED(DBR)(20 mA하봉치파장623 nm)축향광강적1.6배.
