半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
6期
909-912
,共4页
尹志军%钟飞%邱凯%李新化%王玉琦
尹誌軍%鐘飛%邱凱%李新化%王玉琦
윤지군%종비%구개%리신화%왕옥기
GaN%极性%多孔%应力释放
GaN%極性%多孔%應力釋放
GaN%겁성%다공%응력석방
使用分子束外延(MBE)技术在(0001)面蓝宝石衬底上生长混合极性的氮化镓(GaN)薄膜,利用不同极性面的GaN薄膜在强碱溶液中腐蚀特性的差异,混和极性样品经腐蚀处理后,得到了一层具有多孔结构的GaN层.以多孔结构的GaN作为缓冲层,用卤化物气相外延(HVPE)方法生长GaN厚膜.X射线双晶衍射和光致发光等测试结果表明,多孔结构的GaN缓冲层可以有效地释放GaN厚膜和衬底之间因热膨胀系数失配产生的应力,使GaN厚膜晶体的质量得到很大提高.
使用分子束外延(MBE)技術在(0001)麵藍寶石襯底上生長混閤極性的氮化鎵(GaN)薄膜,利用不同極性麵的GaN薄膜在彊堿溶液中腐蝕特性的差異,混和極性樣品經腐蝕處理後,得到瞭一層具有多孔結構的GaN層.以多孔結構的GaN作為緩遲層,用滷化物氣相外延(HVPE)方法生長GaN厚膜.X射線雙晶衍射和光緻髮光等測試結果錶明,多孔結構的GaN緩遲層可以有效地釋放GaN厚膜和襯底之間因熱膨脹繫數失配產生的應力,使GaN厚膜晶體的質量得到很大提高.
사용분자속외연(MBE)기술재(0001)면람보석츤저상생장혼합겁성적담화가(GaN)박막,이용불동겁성면적GaN박막재강감용액중부식특성적차이,혼화겁성양품경부식처리후,득도료일층구유다공결구적GaN층.이다공결구적GaN작위완충층,용서화물기상외연(HVPE)방법생장GaN후막.X사선쌍정연사화광치발광등측시결과표명,다공결구적GaN완충층가이유효지석방GaN후막화츤저지간인열팽창계수실배산생적응력,사GaN후막정체적질량득도흔대제고.
