真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2010年
4期
430-433
,共4页
薄膜取向%基底材料%强磁场%磁取向
薄膜取嚮%基底材料%彊磁場%磁取嚮
박막취향%기저재료%강자장%자취향
在不同磁场下,用真空蒸发法制备了不同方向放置的Zn薄膜.对样品进行X射线衍射分析表明,在大于3 T的磁场环境下,垂直于磁场放置的基片上制备的Zn薄膜最强衍射峰为(002),而平行于磁场方向放置的基片上制备的试样最强衍射峰为(101).Zn的磁各向异性引起了晶体在磁场环境下的择优生长,磁能较低的c轴方向是Zn薄膜的优先生长方向.利用磁场诱导晶体取向这一特性,提出了一种控制薄膜取向的新方法,通过调整基片与磁场方向的放置角度即可对制备薄膜的取向进行调整.
在不同磁場下,用真空蒸髮法製備瞭不同方嚮放置的Zn薄膜.對樣品進行X射線衍射分析錶明,在大于3 T的磁場環境下,垂直于磁場放置的基片上製備的Zn薄膜最彊衍射峰為(002),而平行于磁場方嚮放置的基片上製備的試樣最彊衍射峰為(101).Zn的磁各嚮異性引起瞭晶體在磁場環境下的擇優生長,磁能較低的c軸方嚮是Zn薄膜的優先生長方嚮.利用磁場誘導晶體取嚮這一特性,提齣瞭一種控製薄膜取嚮的新方法,通過調整基片與磁場方嚮的放置角度即可對製備薄膜的取嚮進行調整.
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