材料科学与工程学报
材料科學與工程學報
재료과학여공정학보
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
2004年
2期
161-163
,共3页
吴贵斌%崔继锋%黄靖云%叶志镇
吳貴斌%崔繼鋒%黃靖雲%葉誌鎮
오귀빈%최계봉%황정운%협지진
锗硅合金%表面偏析%表面耗尽%超高真空化学气相沉积
鍺硅閤金%錶麵偏析%錶麵耗儘%超高真空化學氣相沉積
타규합금%표면편석%표면모진%초고진공화학기상침적
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.
本文對利用超高真空CVD方法生長的Si1-xGex閤金外延層中的鍺錶麵分佈情況和Ge在界麵偏析現象進行瞭深入的研究.通過XPS和SIMS圖譜的研究,指齣錶麵由于鍺的偏析,造成鍺在體內和錶麵的含量不同,在低溫時生長鍺硅閤金,錶麵氫原子的吸附可有效地抑製鍺的偏析,但隨著溫度的升高,氫的脫附造成鍺的偏析現象更加明顯.
본문대이용초고진공CVD방법생장적Si1-xGex합금외연층중적타표면분포정황화Ge재계면편석현상진행료심입적연구.통과XPS화SIMS도보적연구,지출표면유우타적편석,조성타재체내화표면적함량불동,재저온시생장타규합금,표면경원자적흡부가유효지억제타적편석,단수착온도적승고,경적탈부조성타적편석현상경가명현.
