核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2005年
6期
849-851
,共3页
谢利平%何江华%王良厚%邹士亚
謝利平%何江華%王良厚%鄒士亞
사리평%하강화%왕량후%추사아
X射线光子%MCNP4B%硅半导体探测器%光电效应%康普顿散射
X射線光子%MCNP4B%硅半導體探測器%光電效應%康普頓散射
X사선광자%MCNP4B%규반도체탐측기%광전효응%강보돈산사
采用MCNP4B仿真了能量为1～100keV的单能X射线与硅半导体探测器发生相互作用的过程.仿真结果表明,当X射线能量较低时,在探测器的硅半导体上沉积能量较低,随着X射线光子能量升高,沉积能量增大,但是在探测器的整个能量段,沉积能量并非线性增加,而是有一定的涨落,经检验,5个探测器在其工作能段范围内探测效率呈正态分布.
採用MCNP4B倣真瞭能量為1～100keV的單能X射線與硅半導體探測器髮生相互作用的過程.倣真結果錶明,噹X射線能量較低時,在探測器的硅半導體上沉積能量較低,隨著X射線光子能量升高,沉積能量增大,但是在探測器的整箇能量段,沉積能量併非線性增加,而是有一定的漲落,經檢驗,5箇探測器在其工作能段範圍內探測效率呈正態分佈.
채용MCNP4B방진료능량위1～100keV적단능X사선여규반도체탐측기발생상호작용적과정.방진결과표명,당X사선능량교저시,재탐측기적규반도체상침적능량교저,수착X사선광자능량승고,침적능량증대,단시재탐측기적정개능량단,침적능량병비선성증가,이시유일정적창락,경검험,5개탐측기재기공작능단범위내탐측효솔정정태분포.
