物理学进展
物理學進展
물이학진전
PROGRESS IN PHYSICS
2007年
2期
109-150
,共42页
半导体自旋电子学%稀磁半导体%异质结构%自旋注入
半導體自鏇電子學%稀磁半導體%異質結構%自鏇註入
반도체자선전자학%희자반도체%이질결구%자선주입
本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望.
本文主要介紹瞭III-V族稀磁半導體(Ga,Mn)As的研究進展,包括(Ga,Mn)As的生長製備、基本磁性質、磁輸運特徵、磁光性質、磁性起源、相關的異質結構和自鏇註入等,同時還簡單介紹瞭其它稀磁半導體如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半導體的研究進展,在文章的最後描述瞭理想的稀磁半導體應該具備的特徵以及對未來的展望.
본문주요개소료III-V족희자반도체(Ga,Mn)As적연구진전,포괄(Ga,Mn)As적생장제비、기본자성질、자수운특정、자광성질、자성기원、상관적이질결구화자선주입등,동시환간단개소료기타희자반도체여IV족、III-VI족화IV-VI족등희자반도체적연구진전,재문장적최후묘술료이상적희자반도체응해구비적특정이급대미래적전망.
