核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2008年
3期
571-575,586
,共6页
张雅聪%陈中建%鲁文高%赵宝瑛%吉利久
張雅聰%陳中建%魯文高%趙寶瑛%吉利久
장아총%진중건%로문고%조보영%길리구
辐射探测器%稀疏化%自触发%读出电路
輻射探測器%稀疏化%自觸髮%讀齣電路
복사탐측기%희소화%자촉발%독출전로
提出了一种适用于半导体辐射探测器的全集成CMOS读出电路,该电路结合自触发方式,采用新型的稀疏化方法.当一个通道占用公共输出级时,其它通道的触发信号被延迟后再读出,从而减小了时间死区,降低误码率.除了这种稀疏化读出模式,电路还允许顺序读出,只要有一个通道触发,就依次读出所有通道的模拟电压和数字地址.该读出电路包括电荷灵敏放大器、脉冲成形器、峰值保持电路和数字控制部分,基于0.5μm DPTM CMOS工艺设计.一个四通道的试验芯片已交付加工.后仿真结果表明,正向工作时,该电路增益为79.3mV/fC,功耗为每通道4mW,线性度为99.92%.理论分析计算得出16通道,每通道粒子速率100k/s条件下,本文提出的稀疏化读出方法误码率约为2.5%,比常用的扫描方式降低了37%左右.
提齣瞭一種適用于半導體輻射探測器的全集成CMOS讀齣電路,該電路結閤自觸髮方式,採用新型的稀疏化方法.噹一箇通道佔用公共輸齣級時,其它通道的觸髮信號被延遲後再讀齣,從而減小瞭時間死區,降低誤碼率.除瞭這種稀疏化讀齣模式,電路還允許順序讀齣,隻要有一箇通道觸髮,就依次讀齣所有通道的模擬電壓和數字地阯.該讀齣電路包括電荷靈敏放大器、脈遲成形器、峰值保持電路和數字控製部分,基于0.5μm DPTM CMOS工藝設計.一箇四通道的試驗芯片已交付加工.後倣真結果錶明,正嚮工作時,該電路增益為79.3mV/fC,功耗為每通道4mW,線性度為99.92%.理論分析計算得齣16通道,每通道粒子速率100k/s條件下,本文提齣的稀疏化讀齣方法誤碼率約為2.5%,比常用的掃描方式降低瞭37%左右.
제출료일충괄용우반도체복사탐측기적전집성CMOS독출전로,해전로결합자촉발방식,채용신형적희소화방법.당일개통도점용공공수출급시,기타통도적촉발신호피연지후재독출,종이감소료시간사구,강저오마솔.제료저충희소화독출모식,전로환윤허순서독출,지요유일개통도촉발,취의차독출소유통도적모의전압화수자지지.해독출전로포괄전하령민방대기、맥충성형기、봉치보지전로화수자공제부분,기우0.5μm DPTM CMOS공예설계.일개사통도적시험심편이교부가공.후방진결과표명,정향공작시,해전로증익위79.3mV/fC,공모위매통도4mW,선성도위99.92%.이론분석계산득출16통도,매통도입자속솔100k/s조건하,본문제출적희소화독출방법오마솔약위2.5%,비상용적소묘방식강저료37%좌우.
