半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
10期
1046-1050
,共5页
谭晓%郭桂良%杜占坤%阎跃鹏
譚曉%郭桂良%杜佔坤%閻躍鵬
담효%곽계량%두점곤%염약붕
无线传感网%模数转换器%流水线%电容失配%参考电压源
無線傳感網%模數轉換器%流水線%電容失配%參攷電壓源
무선전감망%모수전환기%류수선%전용실배%삼고전압원
设计了一个10 bit,40 MS/s流水线模数转换器,适用于无线传感器网络(WSN)嵌入式芯片中.基于对电容失配的非线性影响的分析,提出了每级多比特的结构,使ADC具有很好的线性度.片内集成了参考电压源,大大减少了外围电路的数量.芯片采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,在40 MS/s采样率下,电路微分非线性(DNL)最大0.42 LSB,积分非线性(INL)最大0.93 LSB,有效精度(ENOB)最高达9 bit.电路使用1.8 V电压供电,核心面积1.5mm2,核心电路功耗73 mW.
設計瞭一箇10 bit,40 MS/s流水線模數轉換器,適用于無線傳感器網絡(WSN)嵌入式芯片中.基于對電容失配的非線性影響的分析,提齣瞭每級多比特的結構,使ADC具有很好的線性度.片內集成瞭參攷電壓源,大大減少瞭外圍電路的數量.芯片採用SMIC 0.18μm CMOS工藝實現,在40 MS/s採樣率下,電路微分非線性(DNL)最大0.42 LSB,積分非線性(INL)最大0.93 LSB,有效精度(ENOB)最高達9 bit.電路使用1.8 V電壓供電,覈心麵積1.5mm2,覈心電路功耗73 mW.
설계료일개10 bit,40 MS/s류수선모수전환기,괄용우무선전감기망락(WSN)감입식심편중.기우대전용실배적비선성영향적분석,제출료매급다비특적결구,사ADC구유흔호적선성도.편내집성료삼고전압원,대대감소료외위전로적수량.심편채용SMIC 0.18μm CMOS공예실현,재40 MS/s채양솔하,전로미분비선성(DNL)최대0.42 LSB,적분비선성(INL)최대0.93 LSB,유효정도(ENOB)최고체9 bit.전로사용1.8 V전압공전,핵심면적1.5mm2,핵심전로공모73 mW.
