微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2010年
5期
631-635,639
,共6页
CMOS%电流舵%D/A转换器
CMOS%電流舵%D/A轉換器
CMOS%전류타%D/A전환기
基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3.3 V/1.8 V(模拟电路部分电源电压为3.3 V,数字电路部分电源电压为1.8 V)、最大刷新率为200 MSPS、分辨率为14位的高速D/A转换器(DAC).该DAC采用传统的5-4-5温度计码与二进制权重码混合编码的分段电流舵结构.对电路中的关键模块,如运算放大器、带隙基准源,进行了优化设计;给出了整体电路的版图设计.仿真结果显示,采样频率为200 MHz时,DAC的SFDR为87 dB左右.
基于0.18μm CMOS工藝,設計瞭一種電源電壓為3.3 V/1.8 V(模擬電路部分電源電壓為3.3 V,數字電路部分電源電壓為1.8 V)、最大刷新率為200 MSPS、分辨率為14位的高速D/A轉換器(DAC).該DAC採用傳統的5-4-5溫度計碼與二進製權重碼混閤編碼的分段電流舵結構.對電路中的關鍵模塊,如運算放大器、帶隙基準源,進行瞭優化設計;給齣瞭整體電路的版圖設計.倣真結果顯示,採樣頻率為200 MHz時,DAC的SFDR為87 dB左右.
기우0.18μm CMOS공예,설계료일충전원전압위3.3 V/1.8 V(모의전로부분전원전압위3.3 V,수자전로부분전원전압위1.8 V)、최대쇄신솔위200 MSPS、분변솔위14위적고속D/A전환기(DAC).해DAC채용전통적5-4-5온도계마여이진제권중마혼합편마적분단전류타결구.대전로중적관건모괴,여운산방대기、대극기준원,진행료우화설계;급출료정체전로적판도설계.방진결과현시,채양빈솔위200 MHz시,DAC적SFDR위87 dB좌우.