中红外半导体光源和探测器件及其应用
중홍외반도체광원화탐측기건급기응용
Mid-infrared semiconductor light sources, detectors and its applications
  • 万方数据
    红外与激光工程 홍외여격광공정
    INFRARED AND LASER ENGINEERING
    2011年 10期 1846-1850 ,共5页

    张永刚%顾溢%李耀耀%李爱珍%王凯%李成%李好斯白音%张晓钧

    장영강%고일%리요요%리애진%왕개%리성%리호사백음%장효균

    中红外%半导体激光器%光电探测器%化合物半导体%分子束外延 中紅外%半導體激光器%光電探測器%化閤物半導體%分子束外延
    중홍외%반도체격광기%광전탐측기%화합물반도체%분자속외연
    中红外波段(2～25 μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用.介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs光伏型探测器的研制以及器件应用方面的工作.这些光电子器件所用高性能材料都是笔者采用分子束外延方法生长的,中红外分布反馈量子级联激光器可在高于室温下脉冲工作,2μm波段锑化物量子阱激光器可在80℃下连续波工作,室温工作InGaAs探测器的截止波长扩展已至2.9 μm.这些器件已在气体检测等方面获得应用.
    중홍외파단(2～25 μm)적광전자기건재기체검측、홍외요감화홍외대항등영역도유중요응용.개소료필자근년래재중홍외파단적반도체광원화광전탐측기방면적공작진전,포괄InP기양자급련격광기、2μm파단제화물양자정격광기화파장확전InGaAs광복형탐측기적연제이급기건응용방면적공작.저사광전자기건소용고성능재료도시필자채용분자속외연방법생장적,중홍외분포반궤양자급련격광기가재고우실온하맥충공작,2μm파단제화물양자정격광기가재80℃하련속파공작,실온공작InGaAs탐측기적절지파장확전이지2.9 μm.저사기건이재기체검측등방면획득응용.
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