特种器件厚外延前后图形转移方法研究
특충기건후외연전후도형전이방법연구
Pattern Alignment Before and After Thick-Layer Epitaxy for Special Device
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2011年 6期 914-917 ,共4页

    唐昭焕%任芳%谭开洲%杨发顺%王斌%刘勇%陈光炳

    당소환%임방%담개주%양발순%왕빈%류용%진광병

    特种器件%厚外延%图形转移%VDMOS%超结 特種器件%厚外延%圖形轉移%VDMOS%超結
    특충기건%후외연%도형전이%VDMOS%초결
    提出了一种特种器件厚外延前后图形的转移方法.通过设计一块带外延前图形层的对位标记和投影光刻机识别标记的掩膜版,解决了厚外延之前图形的精确套准和厚外延之后投影光刻的难题,实现了厚外延前后的套刻精度高于0.5 μm.该方法可广泛应用于带埋层的VDMOS、超结VDMOS、高压互补双极器件,以及高压BCD器件的投影光刻.
    제출료일충특충기건후외연전후도형적전이방법.통과설계일괴대외연전도형층적대위표기화투영광각궤식별표기적엄막판,해결료후외연지전도형적정학투준화후외연지후투영광각적난제,실현료후외연전후적투각정도고우0.5 μm.해방법가엄범응용우대매층적VDMOS、초결VDMOS、고압호보쌍겁기건,이급고압BCD기건적투영광각.
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