固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
1期
6-9,87
,共5页
质子%静态存储器%绝缘体上硅%翻转截面%线性传输能量
質子%靜態存儲器%絕緣體上硅%翻轉截麵%線性傳輸能量
질자%정태존저기%절연체상규%번전절면%선성전수능량
提出了一种基于SOI工艺6T SRAM单元质子辐射的单粒子饱和翻转截面的预测模型,该模型通过器件物理来模拟辐照效应,利用版图和工艺参数来预测质子引入的单粒子饱和翻转截面.该模型采用重离子的SPICE测试程序对质子辐射的翻转截面进行预测,该方法简单高效,测试实例表明在0.15μm SOI工艺下,预测的质子引入的单粒子翻转饱和截面和实际测试的翻转截面一致.
提齣瞭一種基于SOI工藝6T SRAM單元質子輻射的單粒子飽和翻轉截麵的預測模型,該模型通過器件物理來模擬輻照效應,利用版圖和工藝參數來預測質子引入的單粒子飽和翻轉截麵.該模型採用重離子的SPICE測試程序對質子輻射的翻轉截麵進行預測,該方法簡單高效,測試實例錶明在0.15μm SOI工藝下,預測的質子引入的單粒子翻轉飽和截麵和實際測試的翻轉截麵一緻.
제출료일충기우SOI공예6T SRAM단원질자복사적단입자포화번전절면적예측모형,해모형통과기건물리래모의복조효응,이용판도화공예삼수래예측질자인입적단입자포화번전절면.해모형채용중리자적SPICE측시정서대질자복사적번전절면진행예측,해방법간단고효,측시실례표명재0.15μm SOI공예하,예측적질자인입적단입자번전포화절면화실제측시적번전절면일치.
